Компания оказывает ряд услуг по эпитаксильному выращиванию монолитных интегральных схем на основе технологий арсенида галлия (GaAs) и нитрида галлия на кремнии (GaN/Si). Выращивание производится на подложках диаметром 3 серийно и 6 дюймов (с 2019 года).
Выращивание кристаллов производится по одной из технологий компании OMMIC, ознакомиться с которыми можно в разделе "Технологии".
Так же компания M-projects оказывает услуги по мультиконтрактному производству. Мультиконтрактное производство заключается в размещении на подложке определенного количества кристаллов (количество которых будет зависеть от площади одного кристалла).
Производитель самостоятельно осуществляет размещение кристаллов на подложке и по результатам производства передает заказываемое количество кристаллов.
Помимо оказания услуг по эпитаксильному выращиванию, компания M-projects сотрудничает с организациями, занимающимися разработкой СВЧ микросхем, и при необходимости способна обеспечить разработку МИС по требуемым техническим параметрам.