Технологии

На сегодняшний день, компания OMMIC насчитывает 10 технологических процессов, один из которых основан на нитриде галлия на карбиде кремния.

Технология ED02AH

Технология формирования PHEMT структур с затвором 0.18 нм полностью освоена для серийного производства с 1995 года. Формирование транзисторов обогащенного и обедненного типов позволяет применять ее для малошумящих и смешанных аналого-цифровых интегральных схем.

Характеристики:

• Два пороговых напряжения
  

         - обогащенный режим (225 мВ)

         - обедненный режим (-900 мВ)

• Напряжение пробоя затвор-сток (Vbgd): 8В (номинально)
  
• Предельная частота усиления по току (Ft): 63 ГГц и 60 ГГц (PCM)
  
• Формирование в схеме любых пассивных элементов
  

Технология ED02AH включена в перечень предпочтительных электронных деталей и узлов Европейского космического агентства (ESA).

Технология D01PH

Технология получения PHEMT обедненного типа с длиной затвора 135 нм – полностью освоена для серийного производства с 1999 года. Применяется для изготовления сверх малошумящих и работающих при среднем уровне мощности устройств в диапазоне частот от 1 до 50 ГГц. Наилучшим образом подходит для схем с уровнем шума <0,6 дБ на частоте 2 ГГц и <1.5 дБ на частоте 10 ГГц.

Характеристики:

• Напряжение пробоя затвор-сток (Vbgd): 12 В (номинально)
  
• Напряжение пробоя (Vt): -0,9 В
  
• Предельная частота усиления по току (Ft): 100 ГГц
  
• Предельная частота усиления по мощности (Fmax): 180 ГГц
  
• Минимальный уровень шума: 1дБ на частоте 30 ГГц
  
• P1дБ/мм (40 ГГц) > 400 мВт/мм
  
• Формирование в схеме любых пассивных элементов
  
• Возможно увеличение толщины металлического слоя для оптимизации шумовых характеристик.
  

Технология D01PH включена в перечень предпочтительных электронных деталей и узлов Европейского космического агентства (ESA).

Технология D01MH

Технология изготовления MHEMT с длиной затвора 125 нм – полностью освоена для серийного производства с 2010 года. Используется для реализации сверхмалошумящих схем в диапазоне до 90 ГГц. Наилучшим образом подходит для приборов, требующих сверх малых шумов в диапазоне частот от Ku до Е, таких как спутниковая связь или системы наведения в диапазоне частот 27 - 40 ГГц

Характеристики:

• Напряжение пробоя затвор-сток (Vbgd): 10 В (номинально)
  
• Напряжение пробоя (Vt): - 0,9В
  
• Предельная частота усиления по току (Ft): 150 ГГц
  
• Предельная частота усиления по мощности (Fmax): 250 ГГц
  
• Минимальный показатель шума: 0.8 дБ при частоте 30 ГГц
  
• Формирование в схеме любых пассивных элементов
  

Технология D01MH проходит испытания на включенение в перечень предпочтительных электронных деталей и узлов Европейского космического агентства (ESA).

Технология D007IH

Технология MHEMT с длиной затвора 70 нм – освоена в серийном производстве с 2011 г. Используется для реализации сверхмалошумящих схем в диапазоне от 20 ГГц до 160 ГГц. Используется в телекоммуникационных системах, устройствах спутниковой связи и пассивного формирования изображения. Средний показатель шума: 2,8 дБ на частоте 90 ГГц.

Характеристики:

• Двойной грибовидный затвор 70 нм с улучшенными параметрами
  
• Высокое содержание In в канале (70%)
  
• Предельная частота усиления по току (Ft): – 300 ГГц
  
• Сверх низкий уровень шума: мин. 0,5 дБ на частоте 30 ГГц
  
• Предельная частота усиления по мощности (Fmax): 450 ГГц
  
• Формирование в схеме любых пассивных элементов
  
• Толщина кристалла 100 мкм (или 70 мкм по специальному запросу)
  
• Возможно увеличение толщины металлического слоя для оптимизации шумовых характеристик.
  

Технология D01GH GaN/Si (изготовление мощных приборов)

Применяется для изготовления силовых ИС в диапазоне от 20 ГГц до 94 ГГц, а также для изготовления высоконадежных низкошумящих усилителей в диапазон от 10 до 30 ГГц. Применения: усилители мощности для систем спутниковой связи в диапазоне 27-40 ГГц и для магистральных линий связи в диапазонах 40-75 ГГц, 71-86 ГГц.

Характеристики:

• Напряжение пробоя затвор-сток (Vbgd): 30В
  
• Предельная частота усиления по току (Ft): 95ГГц
  
• Предельная частота усиления по мощности (Fmax): 190ГГц
  
• Мощность: 3,2 Вт/мм затвора на 30ГГц
  
• PAE: 35%
  
• Грибовидный затвор (100 нм – 60 нм)
  
• Пассивация в заводских условиях (в целях низкой инерционности <10%)
  
• Рекристаллизация омического контакта (для повышениямежэлектронной проводимости (Gm)
  
• Формирование в схеме любых пассивных элементов
  

Технология D025PHS (изготовление мощных приборов)

Технология PHEMT c длиной затвора 250 нм - освоена на стадии изготовления прототипов. Применяется для изготовления силовых схем, работающих в диапазоне от 5 ГГц до 20 ГГц. Применяется для изготовления систем связи, гражданских и военных радаров, систем спутниковой связи. Может использоваться при проектировании, как интегральных СВЧ схем, так и отдельных силовых шин.

Характеристики:

• Напряжение пробоя затвор-сток (Vbgd): 16В
  
• Напряжение пробоя (Vt): - 0,9В
  
• Предельная частота усиления по току (Ft): 37 ГГц
  
• Предельная частота усиления по мощности (Fmax): 95 ГГц
  
• Удельная мощность: 1,7 Вт/мм затвора на 10 ГГц