Согласованные транзисторы

GaAs транзисторы GaN-транзисторы

Мощные согласованные СВЧ транзисторы представлены в диапазоне частот от 0,8 ГГц до 10,5 ГГц. Максимальный уровень выходной мощности достигает значения 260 Вт (@1,03-1,09ГГц), а максимальный уровень КПД – 65%. Транзисторы имеют высокую удельную мощность, что позволяет получать большую выходную мощность и высокий КПД. Транзисторы поставляются в металлокерамических корпусах для поверхностного монтаж.

Наименование	Частотный диапазон, ГГц от	Частотный диапазон, ГГц до	Выходная мощность, дБм	Коэффициент усиления, дБ	КПД %
FTMTN085096-51	8.5	9.6	52	8	40
FTMTN085096-50-A	8.5	9.6	51.2	7.1	41
FTMTN085096-47	8.5	9.6	47.2	7.2	42
FTMTN068077-51	6.8	7.7	50.5	9.4	44
FTMTN067070-37-S	6.7	7	38.4	20.5	46
FTMTN064072-40	6.4	7.2	41	9.5	40
FTMTN059066-48	5.9	6.6	48	10	45
FTMTN050060-50-A	5	6	50.6	10.6	49
FTMTN048060-51	4.8	6	51.6	11.6	53
FTMTN048060-48	4.8	6	48.3	11.5	46
FTMTN048060-40-A	4.8	6	42.4	13.7	55
FTMTN048060-40	4.8	6	42.6	13.4	55
FTMTN044052-50	4.4	4.2	50.6	10.6	50
FTMTN044052-42	4.4	5.2	42	14	61
FTMTN031035-51	3.1	3.5	51.2	11.2	48
FTMTN027035-56	2.7	3.5	56.1	12	50
FTMTN027035-45-S-A	2.7	3.5	45.6	25	50
FTMTN027035-43-S	2.7	3.5	43.3	23.3	50
FTMTN027031-57	2.7	3.1	57.9	13.9	57
FTMTN027031-52	2.7	3.1	52.5	12	54
FTMTN027031-51	2.7	3.1	51.3	11.5	52
FTMTN027031-49	2.7	3.1	49.3	14.3	62
FTMTN027031-47-S	2.7	3.1	47.3	29.7	50
FTMTN027031-41-S	2.7	3.1	41.5	29	58
FTMTN025040-47	2.5	4	48	12	50
FTMTN025038-50	2.55	3.75	50.2	10.7	51
FTMTN022027-48	2.2	2.7	49	13	60
FTMTN020040-49	2	4	49.4	10.8	43
FTMTN020040-48	2	4	48.6	11	50
FTMTN019023-50	1.9	2.3	50	13	55

Товары 1 - 30 из 339
Начало | Пред. | 1 2 3 4 5 | След. | Конец

Согласованные транзисторы

GaAs транзисторы (41)

GaN-транзисторы (298)