Несогласованные транзисторы

Несогласованные транзисторы GaN (26)

Несогласованные GaN СВЧ транзисторы представлена в диапазоне частот от 0 ГГц до 15 ГГц, уровень выходной мощности от 8 Вт до 320 Вт (@0-5ГГц), а максимальный уровень КПД – 70%. Транзисторы поставляются в металлокерамических корпусах и корпусах типа QFN для поверхностного монтажа, а также в виде кристаллов.

Наименование	Частотный диапазон, ГГц от	Частотный диапазон, ГГц до	Выходная мощность, дБм	Коэффициент усиления, дБ	КПД %
FTUT005010-54	0.5	1.0	54.4	14.4	66
FTUT001015-47	DC	1.5	48.4	16.4	64.7
FTUT050059-45	5.0	5.9	44.9	10.9	48
FTUT007012-54	0.7	1.2	55.2	13.5	68
FTUT057059-47	DC	6.0	47	8	47
FTUT057059-46	DC	6.0	46.3	10.3	56
FTUT057059-39	DC	6.0	39.7	10.7	62.4
FTUT013018-48	1.3	1.8	67	15	65
FTUT013018-46	1.3	1.8	43/47	16	63
FTUT012014-58	1.2	1.4	58,5	16	61
FTUT012014-56	1.2	1.4	56,5	17	61
FTUT010020-53	0.6	2.0	54.3	13.3	61.9
FTUT005010-55	0.5	1	55	15	70
FTUT0040-200	0	2	53	24	70
FTUT0030-120	0	2.5	51	21	35
FTUT0040-250	0	3	52.5	>15	70
FTUT0040-110	0	4	50	>14	55
FTUT0060-30	0	6	45	10	25
FTUT0040-120	0	3	51	>15	70
FTUT0040-100	0	3	50	16	71
FTUT0040-70	0	4	48	14	27
FTUT0040-50	0	4	46.5	>12	55
FTUT0040-35	0	6	44	>13	62
FTUT0040-20	0	6	42	14.5	28
FTUT0060-08	0	6	40	>16	65
FTUT8005	0	6	38	>11	65

Несогласованные транзисторы

Несогласованные транзисторы GaN (26)