Меню

Согласованные GaN транзисторы от Китайских производителей

Согласованные GaN транзисторы от Китайских производителей

21.02.2024

На данный момент транзисторы и усилители на базе GaN технологии имеют ряд преимуществ по сравнению с другими.

Преимущества транзисторов и усилителей на базе GaN:

1.     высокая надёжность при работе в широком диапазоне температур;

2.     высокий уровень КПД и усиления в области высоких частот;

3.     высокая плотность мощности.

Именно поэтому многие разработчики радиоэлектронных устройств выбирают транзисторы или усилители на базе GaN технологии. 

После ухода из России мировых производителей мощных GaN устройств Ampleon, Wolfspeed, Qorvo и Integra, у заказчиков из России появилась потребность в поиске альтернативных производителей, которые могли бы обеспечить стабильные поставки продукции с необходимыми техническими характеристиками. 

Мы сотрудничаем с производителями из Китая, которые имеют полный цикл производства полупроводниковых GaN устройств, соответствующий мировым стандартам. Мы предлагаем нашим клиентам ряд GaN устройств:

1.     усилители;

2.     транзисторы;

3.     переключатели.

Предлагаемая номенклатура GaN транзисторов представлена в частотном диапазоне до 10,5 ГГц, в диапазоне выходных мощностей от 5 Вт до 1 кВт и уровнем КПД 20 – 70%. Согласованные транзисторы работают как в импульсном, так и в непрерывном режиме. Под требования заказчика для реализации проектов любой сложности, может быть разработан транзистор, частотный диапазон которого может достигать 18 ГГц, то есть мы не ограничиваемся только серийно-изготавливаемыми изделиями. 

С полный перечнем продукции GaN транзисторов вы можете ознакомиться, перейдя по ссылке

Наименование

Частотный диапазон (ГГц)

Выходная мощность Psat (дБм)

Коэффициент усиления Ку (дБ)

  КПД (%)  

Напряжение питания (В)

Режим работы

FTMTN008020-40

0.5 - 2

40

11

50

28/50

Непр.

FTMTN008020-46

0.8 - 2

46.5

11

51

28

Непр.

FTMTN008020-49

0.8 - 2

49

12

50

28

Непр.

FTMTN009014-50

0.9 - 1.4

50

11

60

28/50

Непр./Имп.

FTMTN009012-55

0.96 - 1.22

55

14

60

50

Имп.

FTMTN009012-57

0.96 - 1.22

57

14

57

50

Имп.

FTMTN009012-60

0.96 - 1.22

60

14

63

50

Имп.

FTMTN010011-55

0.98 - 1.08

55

34

70

50

Имп.

FTMTN010011-59

0.98 - 1.08

59

37

62

50

Имп.

FTMTN011016-55

1.1 - 1.6

55

16

61

50

Имп.

FTMTN010020-38

1 - 2

38

16

56

28

Непр.

FTMTN012014-46

1.2 - 1.4

46.5

21

66

50

Имп.

FTMTN013018-44

1.3 - 1.8

44.5

15

58

28

Непр.

FTMTN013018-48

1.3 - 1.8

48

14

57

28

Непр./ Имп.

FTMTN1617-44

1.6 - 1.7

44.5

18

62

28

Непр.

FTMTN019021-41

1.98 - 2.01

41

15

63

28

Непр.

FTMTN019023-42

1.98 - 2.3

42

15

65

28

Непр.

FTMTN020060-43

2 - 6

43

7

20

28

Непр.

FTMTN023027-46

2.3 - 2.7

42.5/46

13.5

65

28/50

Непр./ Имп.

FTMTN023027-48

2.3 - 2.7

44.5/48

13

64

28/50

Непр./ Имп.

FTMTN023027-53

2.3 - 2.7

48.5/53

14.5

61

28/50

Непр./ Имп.

FTMTN027035-45S

2.7 - 3.5

44.5

23

44

28

Непр.

FTMTN027035-48

2.7 - 3.5

48

11

55

28

Непр./ Имп

FTMTN027035-51

2.7 - 3.5

50.5

12

52

28

Имп.

FTMTN035050-44

3.5 - 5

44

11

50

28

Непр.

FTMTN036048-48

3.6 - 4.8

48.5

11

50

28

Непр.

FTMTN037042-47

3.7 - 4.2

47.5

10

48

28

Непр.

FTMTN4452-36

4.4 - 5.2

37

24

43

28

Непр.

FTMTN4452-48

4.4 - 5.2

48.5

11

57

28

Непр./ Имп

FTMTN050060-50

5- 6

50

11

49

28

Имп.

FTMTN052058-52

5.2- 5.8

52

11

48

28

Имп.

FTMTN053059-53

5.3 - 5.9

54

10

40

50

Имп.

FTMTN058067-40

5.8 -6.7

41

11.5

47

28

Непр.

FTMTN058067-48

5.8 -6.7

47.5

10.5

46

28

Непр./ Имп

FTMTN058067-50

5.8 -6.7

50

10

50

28

Имп.

FTMTN069074-46

6.9 -7.4

46

10

45

28

Непр./ Имп

FTMTN080096-45

8 -9.6

45.5

7.5

44

28

Имп

FTMTN080096-50

8 -9.6

50.5

7

43

28

Имп.

FTN090100-P47

9.0-10.0

47

8,5

36

28

Непр.

FTN095105-P52

9.5-10.5

52

8,5

35

28

Имп.


Все транзисторы поставляются в металлокерамическом корпусе для обеспечения эффективного теплоотвода с кристалла транзистора. В качестве примера ниже представлены параметры транзистора FTMTN027035-51 в диапазоне частот 2,7 – 3,5 ГГц и мощностью 125 Вт:

Наименование параметра

   Значение 

Частотный диапазон, ГГц

2,7 –3,5

Выходная мощность, дБм

51

Коэффициент усиления, дБ

12

КПД, %

52

Неравномерность коэффициента усиления, дБ

1

Амплитудно-частотная характеристика коэффициента усиления.jpg
 Амплитудно-частотная характеристика
коэффициента усиления


Амплитудно-частотная характеристика выходной мощности.jpg
Амплитудно-частотная характеристика
выходной мощности


Амплитудно-частотная характеристика КПД.jpg
 Амплитудно-частотная характеристика КПД

Опытный образец транзистора FTMTN027035-51 в измерительной оснастке.jpg

Опытный образец транзистора FTMTN027035-51 в измерительной оснастке

За дополнительной информацией или запросом продукции отправляйте письмо нам на почту info@m-projects.ru или звоните по номеру +7 (812) 509-39-08


Вернуться ко всем новостям