21.02.2024
На данный момент транзисторы и усилители на базе GaN технологии имеют ряд преимуществ по сравнению с другими.
Преимущества транзисторов и усилителей на базе GaN:
1. высокая надёжность при работе в широком диапазоне температур;
2. высокий уровень КПД и усиления в области высоких частот;
3. высокая плотность мощности.
Именно поэтому многие разработчики радиоэлектронных устройств выбирают транзисторы или усилители на базе GaN технологии.
После ухода из России мировых производителей мощных GaN устройств Ampleon, Wolfspeed, Qorvo и Integra, у заказчиков из России появилась потребность в поиске альтернативных производителей, которые могли бы обеспечить стабильные поставки продукции с необходимыми техническими характеристиками.
Мы сотрудничаем с производителями из Китая, которые имеют полный цикл производства полупроводниковых GaN устройств, соответствующий мировым стандартам. Мы предлагаем нашим клиентам ряд GaN устройств:
1. усилители;
2. транзисторы;
3. переключатели.
Предлагаемая номенклатура GaN транзисторов представлена в частотном диапазоне до 10,5 ГГц, в диапазоне выходных мощностей от 5 Вт до 1 кВт и уровнем КПД 20 – 70%. Согласованные транзисторы работают как в импульсном, так и в непрерывном режиме. Под требования заказчика для реализации проектов любой сложности, может быть разработан транзистор, частотный диапазон которого может достигать 18 ГГц, то есть мы не ограничиваемся только серийно-изготавливаемыми изделиями.
С полный перечнем продукции GaN транзисторов вы можете ознакомиться, перейдя по ссылке.
Наименование |
Частотный диапазон (ГГц) |
Выходная мощность Psat (дБм) |
Коэффициент усиления Ку (дБ) |
КПД (%) |
Напряжение питания (В) |
Режим работы |
FTMTN008020-40 |
0.5 - 2 |
40 |
11 |
50 |
28/50 |
Непр. |
FTMTN008020-46 |
0.8 - 2 |
46.5 |
11 |
51 |
28 |
Непр. |
FTMTN008020-49 |
0.8 - 2 |
49 |
12 |
50 |
28 |
Непр. |
FTMTN009014-50 |
0.9 - 1.4 |
50 |
11 |
60 |
28/50 |
Непр./Имп. |
FTMTN009012-55 |
0.96 - 1.22 |
55 |
14 |
60 |
50 |
Имп. |
FTMTN009012-57 |
0.96 - 1.22 |
57 |
14 |
57 |
50 |
Имп. |
FTMTN009012-60 |
0.96 - 1.22 |
60 |
14 |
63 |
50 |
Имп. |
FTMTN010011-55 |
0.98 - 1.08 |
55 |
34 |
70 |
50 |
Имп. |
FTMTN010011-59 |
0.98 - 1.08 |
59 |
37 |
62 |
50 |
Имп. |
FTMTN011016-55 |
1.1 - 1.6 |
55 |
16 |
61 |
50 |
Имп. |
FTMTN010020-38 |
1 - 2 |
38 |
16 |
56 |
28 |
Непр. |
FTMTN012014-46 |
1.2 - 1.4 |
46.5 |
21 |
66 |
50 |
Имп. |
FTMTN013018-44 |
1.3 - 1.8 |
44.5 |
15 |
58 |
28 |
Непр. |
FTMTN013018-48 |
1.3 - 1.8 |
48 |
14 |
57 |
28 |
Непр./ Имп. |
FTMTN1617-44 |
1.6 - 1.7 |
44.5 |
18 |
62 |
28 |
Непр. |
FTMTN019021-41 |
1.98 - 2.01 |
41 |
15 |
63 |
28 |
Непр. |
FTMTN019023-42 |
1.98 - 2.3 |
42 |
15 |
65 |
28 |
Непр. |
FTMTN020060-43 |
2 - 6 |
43 |
7 |
20 |
28 |
Непр. |
FTMTN023027-46 |
2.3 - 2.7 |
42.5/46 |
13.5 |
65 |
28/50 |
Непр./ Имп. |
FTMTN023027-48 |
2.3 - 2.7 |
44.5/48 |
13 |
64 |
28/50 |
Непр./ Имп. |
FTMTN023027-53 |
2.3 - 2.7 |
48.5/53 |
14.5 |
61 |
28/50 |
Непр./ Имп. |
FTMTN027035-45S |
2.7 - 3.5 |
44.5 |
23 |
44 |
28 |
Непр. |
FTMTN027035-48 |
2.7 - 3.5 |
48 |
11 |
55 |
28 |
Непр./ Имп |
FTMTN027035-51 |
2.7 - 3.5 |
50.5 |
12 |
52 |
28 |
Имп. |
FTMTN035050-44 |
3.5 - 5 |
44 |
11 |
50 |
28 |
Непр. |
FTMTN036048-48 |
3.6 - 4.8 |
48.5 |
11 |
50 |
28 |
Непр. |
FTMTN037042-47 |
3.7 - 4.2 |
47.5 |
10 |
48 |
28 |
Непр. |
FTMTN4452-36 |
4.4 - 5.2 |
37 |
24 |
43 |
28 |
Непр. |
FTMTN4452-48 |
4.4 - 5.2 |
48.5 |
11 |
57 |
28 |
Непр./ Имп |
FTMTN050060-50 |
5- 6 |
50 |
11 |
49 |
28 |
Имп. |
FTMTN052058-52 |
5.2- 5.8 |
52 |
11 |
48 |
28 |
Имп. |
FTMTN053059-53 |
5.3 - 5.9 |
54 |
10 |
40 |
50 |
Имп. |
FTMTN058067-40 |
5.8 -6.7 |
41 |
11.5 |
47 |
28 |
Непр. |
FTMTN058067-48 |
5.8 -6.7 |
47.5 |
10.5 |
46 |
28 |
Непр./ Имп |
FTMTN058067-50 |
5.8 -6.7 |
50 |
10 |
50 |
28 |
Имп. |
FTMTN069074-46 |
6.9 -7.4 |
46 |
10 |
45 |
28 |
Непр./ Имп |
FTMTN080096-45 |
8 -9.6 |
45.5 |
7.5 |
44 |
28 |
Имп |
FTMTN080096-50 |
8 -9.6 |
50.5 |
7 |
43 |
28 |
Имп. |
FTN090100-P47 |
9.0-10.0 |
47 |
8,5 |
36 |
28 |
Непр. |
FTN095105-P52 |
9.5-10.5 |
52 |
8,5 |
35 |
28 |
Имп. |
Все транзисторы поставляются в металлокерамическом корпусе для обеспечения эффективного теплоотвода с кристалла транзистора. В качестве примера ниже представлены параметры транзистора FTMTN027035-51 в диапазоне частот 2,7 – 3,5 ГГц и мощностью 125 Вт:
Наименование параметра |
Значение |
Частотный диапазон, ГГц |
2,7 –3,5 |
Выходная мощность, дБм |
51 |
Коэффициент усиления, дБ |
12 |
КПД, % |
52 |
Неравномерность коэффициента усиления, дБ |
1 |
Амплитудно-частотная характеристика
коэффициента усиления
Амплитудно-частотная характеристика
выходной мощности
Амплитудно-частотная характеристика КПД
Опытный образец транзистора FTMTN027035-51 в измерительной оснастке
За дополнительной информацией или запросом продукции отправляйте письмо нам на почту info@m-projects.ru или звоните по номеру +7 (812) 509-39-08.