Новые балансные смесители для преобразователей частоты в системах связи и передачи информации
04.12.2023
Практически в любом радиочастотном устройстве используются преобразователи частоты, такие как элементы для переноса несущей частоты на промежуточную для ее дальнейшей обработки и для переноса промежуточной частоты на несущую для ее использования в передающем тракте. Основным элементом в преобразователе частоты является смеситель. В основном смесители реализуются на двойной балансной схеме с использованием диода с барьером Шоттки. Эта схема обладает лучшими характеристиками и не требует внешних цепей питания и смещения. Двойные балансные смесители могут реализовываться в разном форм-факторе и с использованием разных технологий изготовления: полупроводниковая микросхема в виде кристалла, кристалла в корпусе, а также в виде СВЧ-модулей по технологии гибридных интегральных микросхем с коаксиальными и волноводными входами.
Данный тип смесителя также представлен в нашем ассортименте в виде двух форм-факторов: полупроводниковых микросхем и СВЧ-модулей. По мере усовершенствования технологий проектирования и изготовления смесителей улучшаются их ключевые электрические параметры, такие как потери преобразования, уровень изоляции между входами смесителя, точка пересечения третьего порядка и уровень компрессии. Данные параметры влияют на качество выходного сигнала, а именно на его спектральную чистоту, динамический диапазон и эффективность преобразования частоты.
Представляем серию новых пассивных балансных смесителей частоты, отличающихся высоким уровнем развязки и широким динамическим диапазоном. Данные смесители являются полупроводниковыми микросхемами, спроектированными на базе GaAs технологии с использованием диодов с барьером Шоттки. Все микросхемы представлены в виде кристаллов, которые при необходимости можно установить в керамический или пластиковый корпус. Ключевые параметры микросхем смесителей представлены ниже в таблице и уже доступны к заказу (если вы смотрите с телефона, поверните его в горизонтальное положение, чтобы было удобно смотреть таблицу).
| Наименование |
Тип
|
RF/LO, ГГц |
Промежуточная частота, ГГц |
Потери преобразования, дБ |
Развязка RF/LO, дБ |
Развязка RF /IF, дБ |
Точка пересечения
|
| FTMX004020-AM | кристалл | 0,4 - 2 | DC-0,6 | 10 | 48 | 22 | 15 |
| FTMX004020-BM | кристалл | 0,4 - 2 | DC-0,7 | 10 | 45 | 14 | 16 |
| FTMX005020-A | кристалл | 0,5 - 2 | DC-0,6 | 8 | 49 | 18 | 14 |
| FTMX006024-A | кристалл | 0,6 - 2,4 | DC-1,4 | 9 | 65 | 31 | 20 |
| FTMX006024-B | кристалл | 0,6 - 2,4 | DC-1,4 | 9 | 68 | 30 | 20 |
| FTMX007022-A | кристалл | 0,7 - 2,2 | DC-1 | 8 | 48 | 18 | 15 |
| FTMX008032-A | кристалл | 0,8 - 3,2 | DC-2,2 | 9 | 68 | 39 | 20 |
| FTMX008032-B | кристалл | 0,8 - 3,2 | DC-2 | 8.5 | 64 | 22 | 19 |
| FTMX008032-C | кристалл | 0,8 - 3,2 | DC-2,2 | 8.5 | 67 | 38 | 20 |
| FTMX010040-AM | кристалл | 1 - 4 | DC-1 | 8 | 60 | 25 | 16 |
| FTMX015045-AM | кристалл | 1,5 - 4,5 | DC-1,6 | 7 | 65 | 29 | 17 |
Из представленной серии смесителей отдельно стоит выделить микросхему FTMX006024-B, которая работает в диапазоне частот RF/LO от 0,6 ГГц до 2,4 ГГц и на промежуточной частоте от 0 до 1,4 ГГц, которая имеет широкое применение в системах связи и беспроводной передачи информации.
Основные параметры смесителя FTMX006024-B:
- потери преобразования 9 дБ при уровне мощности гетеродина +15 дБм;
- развязка между входом РЧ и гетеродином 68 дБ;
- развязка между входом гетеродина и ПЧ 37 дБ;
- развязка между входом РЧ и ПЧ 30 дБ;
- входная мощность гетеродина от +13 дБм до +18 дБм;
- точка пересечения третьего порядка IIP3 20 дБм.
Ниже представлены частотные характеристики параметров FTMX006024-B:
Если у вас появились вопросы по поводу продукции или вы хотите отправить запрос, напишите нам на почту info@m-projects.ru или позвоните по номеру +7 (812) 509-39-08.