Сверхширокополосный GaAs усилитель мощности на 1 Вт в диапазоне частот от 0,1 до 20 ГГц
09.01.2023
Каталог M-projects пополнился уникальной в своем классе монолитно-интегральной схемой сверхширокополосного усилителя мощности XGIPA-0120-30. Такой усилитель разработан на основе PHEMT транзисторов по GaAs технологии и способен обеспечивать высокий уровень выходной мощности ≥1 Вт во всем рабочем диапазоне частот. Кроме того, он обладает малой неравномерностью коэффициента усиления во всём рабочем диапазоне частот от 100 МГц до 20 ГГц.
Основные параметры и графические частотные характеристики усилителя:
| Частота, ГГц |
0,1 – 1 |
1 – 18 |
18 – 20 |
| Коэффициент усиления, дБ |
11,5 |
12 |
13 |
| Неравномерность Ку, дБ |
±1 |
±0,3 |
±0,3 |
| Выходная мощность, дБм |
30 |
31 |
30 |
| Интермодуляционные искажения третьего порядка, дБм |
35 |
37 |
36 |
|
|
| Частотная характеристика мощности насыщения на выходе усилителя | Частотная характеристика коэффициента усиления |
Примечание:
Psat – выходная мощность насыщения
S21 – коэффициент усиления при малом уровне сигналов