Новый GaN усилитель мощности

31.07.2019

Microwave projects рада представить Вашему вниманию новый усилитель мощности на основе нитрида галлия, разработанный партнерским дизайн центром в России и произведенный на мощностях компании Win Semiconductors. 

Данная бескорпусная МИС выполнена на основе GaN HEMT процесса с топологической нормой 0.25 мкм способна обеспечить до 25 Вт выходной мощности при КПД 37%.

Применением для данной МИС могут служить передающие тракты перспективных РЛС с АФАР, системы навигации GPS/ГЛОНАСС и беспроводные сети.

Основные параметры (непрерывный режим)