Новинки 2025. Микросхемы GaN переключателей СВЧ диапазона
03.03.2025
Расскажем о новых полупроводниковых переключателях различного типа, разработанных по GaN технологии на основе pHEMT. В данной схеме полевой транзистор используется в качестве ключа. СВЧ сигнал проходит от истока к стоку, затвор при этом является управляющей клеммой: при величине напряжения на затворе 0 В транзистор открыт, при напряжении минус 28 В (минус 40 В) транзистор закрыт. Благодаря уникальным свойствам GaN технологии, эти переключатели обладают следующими отличительными особенностями:
-
высокая линейность (порядка 45-50 дБм) и возможность работать при высоких уровнях входной мощности - до 126 Вт. Это связано с высоким пробивным напряжением GaN транзистора;
-
высокая скорость переключения – до 10 нс. Обеспечивается высокой электронной подвижностью у GaN транзистора;
-
малый уровень вносимых потерь – до 1 дБ;
-
возможность работать при высоких температурах.
Благодаря всем перечисленным свойствам GaN переключатели находят широкое применение в передающих трактах различных СВЧ приборов, блоков и систем:
-
телекоммуникационное оборудование;
-
радиолокационные системы и комплексы;
-
спутниковое оборудование связи;
-
средства радиоэлектронной борьбы;
-
радиоизмерительное оборудование.
Ниже приведены основные параметры микросхем GaN переключателей, представленных в нашем ассортименте. Все микросхемы, кроме FTNSW9148-2, поставляются в виде кристалла. По предварительной договоренности с производителем есть возможность установить их в стандартный металлокерамический корпус.
|
Наименование |
Тип |
Частотный диапазон, ГГц |
Вносимые потери, дБ |
Развязка, дБ |
Точка 0,3 дБ компрессии, дБм |
Время переключения, нс |
|
FTNSW0003-2 |
SPDT |
0-3 |
0.6 |
39 |
50 |
30 |
|
FTNSW9148-2 |
SPDT |
0-4 |
0.3 |
40 |
47 (P1dB) |
50 |
|
FTNSW0206-2 |
SPDT |
2-6 |
1 |
41 |
49 |
30 |
|
FTNSW0512-2-04C1 |
SPDT |
5-12 |
0.8 |
43 |
48 |
10 |
|
FTNSW0713-2 |
SPDT |
7-13 |
0.9 |
40 |
46 |
30 |
|
FTNSW0812-2CW |
SPDT |
8-12 |
0.7 |
45 |
- |
30 |
|
FTNSW0023-3 |
SP3T |
0-2 |
0.6 |
46 |
50 |
30 |
В качестве примера приведем амплитудно-частотные характеристики основных параметров микросхемы переключателя на три канала (SP3T) FTNSW0023-3.
Блок-схема переключателя FTNSW0023-3
GaN технологии все больше и чаще используются в СВЧ приборах различного функционала: усилители мощности, транзисторы, малошумящие усилители и переключатели. Это позволяет минимизировать размеры интегральных схем, СВЧ блоков или узлов, расширять границы частотного диапазона и обеспечивать надежность и эффективность при работе на высоких уровнях мощности.
За дополнительной информацией или запросом продукции отправляйте письмо нам на почту info@m-projects.ru или звоните по номеру +7 (812) 509-39-08.