Меню

Контрактное производство

Компания оказывает ряд услуг по эпитаксильному выращиванию монолитных интегральных схем на основе технологий арсенида галлия (GaAs) и нитрида галлия на кремнии (GaN/Si). Выращивание производится на подложках диаметром 3 серийно и 6 дюймов (с 2019 года). 
Выращивание кристаллов производится по одной из технологий компании OMMIC, ознакомиться с которыми можно в разделе "Технологии"




a-silicon-wafer-in-sand-maybe-640x353.jpg


  

Так же компания M-projects оказывает услуги по мультиконтрактному производству. Мультиконтрактное производство заключается в размещении на подложке определенного количества кристаллов (количество которых будет зависеть от площади одного кристалла).


  • Размер кристалла 1.5 х 1 мм (1.5 мм2) - 25 штук
  • Размер кристалла 1.5 х 2 мм (3 мм2) - 20 штук
  • Размер кристалла 3 х 1 мм (3 мм2) - 20 штук
  • Размер кристалла 3 х 2 мм (6 мм2) - 15 штук


кругляш.jpg


Производитель самостоятельно осуществляет размещение кристаллов на подложке и по результатам производства передает заказываемое количество кристаллов.


Помимо оказания услуг по эпитаксильному выращиванию, компания M-projects сотрудничает с организациями, занимающимися разработкой СВЧ микросхем, и при необходимости способна обеспечить разработку МИС по требуемым техническим параметрам.